Работ в текущем разделе: [ 334 ] Дисциплина: Разное
На уровень вверх
Тип: Дипломная работа |
Цена: 1750 р. |
Страниц: 65 |
Формат: doc |
Год: 2012 |
КУПИТЬ | 
Получить демо-версию работы бесплатно
Вы можете купить готовую работу, кликнув ссылку "купить" выше, либо вы можете СКАЧАТЬ данную работу абсолютно БЕСПЛАТНО, выполнив небольшое наше поручение (выполнение его займет у вас от 10 минут до 2 часов в зависимости от стоимости работы). ICQ 4483314, Diplombesplatno@mail.ru, т. (495) 972-80-33.
|
Содержание
|
|
Введение....................................................................................... Глава 1. Многоуровневая металлизация. Проблема неровности профиля изоляционного слоя. 1.1. Многоуровневая металлизация в современных СБИС................................................................................. 1.2. Технология создания слоя металлизации в многоуровневых структурах............................................... 1.3. Анализ структуры после химико-механического полирования...................................................................... Глава 2. Метод уменьшения неровности профиля изоляционного слоя. 2.1. Метод снижения неровности поверхности................ 2.2. Структура процесса разработки фотошаблона......... 2.3. Этап коррекции фотошаблона.................................. 2.4. Общая характеристика средств описания топологии........................................................................ Глава 3. Алгоритм коррекции фрагмента топологии. 3.1. Общее описание алгоритма коррекции слоя металлизации.......................................................... 3.2. Описание алгоритма коррекции фрагмента.............. 3.2.1. Основные представления и понятия.................... 3.2.2. Общее описание алгоритма коррекции фрагмента..................................................................... 3.2.3. Детальное описание алгоритма........................... Глава 4. Программная реализация алгоритма и результаты тестирования. 4.1. Общее описание программы.................................... 4.2. Тестовые примеры.................................................... 4.3. Временная оценка работы программы..................... Глава 5. Организационно - экономический раздел. Расчет годового экономического эффекта от внедрения системы автоматической коррекции шаблонов БИС. 5.1. Общие положения..................................................... 5.2. Методика расчета годового экономического эффекта от внедрения САПР........................................... 5.3. Расчет годовой экономии......................................... 5.4. Расчет дополнительных капитальных вложений........ 5.5. Данные для расчета.................................................. 5.6. Расчет годового экономического эффекта и ожидаемых технико - экономических показателей.......... 5.7. Вывод....................................................................... Глава 6. Раздел «Производственно-Экологическая безопасность». Электробезопасность в помещениях вычислительных центров. 6.1. Анализ вредных воздействий на организм человека при работе на ЭВМ .......................................... 6.2. Электроопасность при работе с ЭВМ....................... 6.3. Факторы влияющие на степень поражения электрическим током...................................................... 6.4. Медицинская помощь при поражении электрическим током....................................................... 6.5. Организационные и технические мероприятия по безопасности эксплуатации........................................ 6.6. Вывод....................................................................... Заключение................................................................................... Список используемой литературы................................................. Приложение. Текст основных процедур, реализующих алгоритм................................................................. |
|
Введение
|
|
Современная технология КМДП СБИС с 4-5 уровнями межсоединений включа-ет операции планаризации межуровневых диэлектрических слоев. Качество по-верхности таких слоев, в частности, определяется операцией химико-механической полировки. В структурах, содержащих несколько уровней металли-зации, важным показателем является ровность поверхности окисла. Одной из важнейших причин неровности поверхности после полировки являет-ся неоднородность топологии кристалла. После осаждения слоя межуровневой изоляции в местах , где расположены металлические проводники, слой диэлек-трика содержит выпуклости, а в местах, где проводники отсутствуют, образуются впадины. Это приводит к появлению ложбин, прогибов межуровневой изоляции, что снижает выход годных. В данной дипломной работе предлагается метод для устранения указанных де-фектов при многоуровневой металлизации, который проводит «коррекцию» топо-логии микросхемы на всех уровнях металлизации (кроме последнего). Операция коррекции заключается в заполнении всех «топологических пустот» проводника-ми стандартного сечения, не подключенными к узлам схемы. При этом профиль каждого уровня межсоединений «выравнивается» что позволяет достичь высокого качества на этапе планаризации диэлектрика. Целью данной работы является разработка алгоритма выше указанного метода и программы для его испытания. |
|
Список литературы
|
|
1. Казеннов Г.Г., Щемелинин В.М. «Топологическое проектирование нерегуляр-ных СБИС». - Москва, «Высшая школа», 1990. 2. Марченко А.М., Щемелинин В.М. «Методы компиляции конструкции заказных СБИС». - МГИЭТ, 1995. 3. Селютин В.А. «Автоматическое проектирование топологии БИС».- Москва, «Радио и связь», 1983. 4. Перевощиков В.А., Скупов В.Д. «Особенности абразивной и химической обра-ботки полупроводников».- Издательство Нижнегородского университета, 1992. 5. Захаров Б.Г., Дмитриева Т.В., и др. «Способ полирования п/п материалов», 1985. 6. Марченко А.М., Щемелинин В.М., Казеннов Г.Г. «Автоматический синтез то-пологии заказных СБИС», 1989. 7. «GDSII tm Stream format manual, Release 6.0». - Calma Company, 1987. 8. Nicholas K.Eib «The art and science of lithography simulation». - «Microlythography world», 1996. 9. Долин П.А. «Справочник по технике безопасности». - Москва, «Энергоатом-издат», 1984г. 10. Золиной З.М. «Охрана труда при выполнении монотонной работы». - Темати-ческий сборник. 11. Каракеян В.И., Константинова Л. А., Писеев В.М. «Лабораторный практикум по курсу «Производственная и экологическая безопасность в микроэлектрони-ке»». - Москва, МИЭТ, 1990г. 12. Каракеян В.И., Писеев В. М. «Методы и средства обеспечения оптимальных параметров производственной среды на предприятиях электронной промыш-ленности». - Учебное пособие, МИЭТ, 1987г. 13. Константинова Л. А., Ларионов Н. М., Писеев В. М. «Методы и средства обеспечения безопасности технологических процессов на предприятиях элек-тронной промышленности». - МИЭТ, 1990г. 14. Ильин Ю.М., Короткова Т.Л., Костина Г.Д. «Методические указания к курсо-вой работе и дипломному проектированию по расчету экономической эффек-тивности от внедрения АСУТП и САПР». - МИЭТ, 1987. 15. Проскуряков А.В., Моисеева Н.К., Анискин Ю.П. «Экономика и организация разработок, освоения и производства изделий микроэлектроники». - Москва, «Высшая школа», 1987. |
|
Примечания:
|
|
Примечаний нет. |