Аннотация………….……………………………………………………….3

Введение……………………………………………….……...……………4

Глава 1. Химико механическое полирование пластин кремния большого диаметра………………………………………………………6

1.1 Факторы и основные показатели процесса химико-

механического полирования……………….………………6

1.2 Анализ технологических особенностей одностороннего

ХМП пластин кремния…………………………..…………..10

1.3 Аналитическое исследование погрешности формы пластин при ХМП…………………………………...…………18

Глава 2. Сравнительные характеристики оборудования для ХМП…………………………………………………………….………….25

2.1 Особенности и недостатки различных схем ХМП пластин кремния…………………………………………..………25

2.2 Методы и оборудование для монтажа пластин кремния…………………………………………………………………...31

2.3 Конструктивные особенности станка 16В4Р…………….43

Глава 3. Разработка технологии одностороннего ХМП пластин кремния на станке 16В4Р……………………………..………………48

3.1 Методика подготовки станка к проведению технологических процессов ХМП……………………………...48

3.2 Выбор схемы обработки и подбор технологических режимов……………………………………………………...………53

3.3 Методика проведения процессов ХМП…………….……..55

3.4 Результаты исследований………………………….………..58

Глава 4. Мероприятия по ПЭБ в процессах механической обработки кремниевых пластин…………………………….……….68

4.1 Опасные и вредные факторы, присутствующие на участке ХМП кремниевых пластин……………………………70

4.2 Мероприятия по устранению воздействия опасных и вредных факторов на персонал……………………………..….72

4.3 Охрана окружающей среды…………………………………75

4.4 Эргономические вопросы при ХМП………………………79

4.5 Расчет освещенности рабочего места……………………..80

Глава 5. Экономическое обоснование эффективности перехода к двухстороннему ХМП пластин Si на станке 16В4Р…….……..84

5.1 Исходные данные для расчета текущих затрат…….…..86

5.2 Расчет показателей экономической эффективности…..91

Выводы…………………………………………………………….……..95

Список литературы…………………………………………………….97

Развитие микроэлектроники идет в соответствии с устойчивой тенденцией уменьшения топологических размеров элементов, увеличения степени интеграции и диаметра пластин.

Увеличение диаметра кремниевых пластин, используемых для изготовления СБИС и ССИС и уменьшение топологических размеров элементов явлются важными элементами увеличения производительности и цены изделия, приведенной к одному квадратному сантиметру кристалла. Это достигается за счет увеличения числа кристаллов на пластине.

В то же время, при уменьшении топологических размеров, ужесточаются требования к макрогеометрическим параметрам пластин. Поэтому особое внимание следует уделить одной из важнейших операций в производстве кремниевых пластин химико-механическому полированию (ХМП). Ее важность заключается в том, что всегда при улучшении микрогеометрических параметров пластины происходило ухудшение макрогеометрических параметров, достигнутых при шлифовании.

Используемое сейчас в нашей стране оборудование для операции ХМП работает на пределе своих возможностей. Параметры пластин диаметром 150 мм, которые полируются на нашем оборудовании, уже не удовлетворяют мировым стандартам, а пластин диаметром 200 мм не удовлетворяют даже нашим стандартам.

Таким образом, в связи с растущей потребностью на кремниевые пластины большого диаметра, усовершенствование операции ХМП является одной из проблем, стоящих в данный момент перед отечественными производителями кремниевой промышленности.

В рамках данной работы будет рассмотрен один из путей решения этой проблемы, а именно полирование склеенных между собой в единый блок пластин на станке двухсторонней полировки.

1. Чуканов С.В. Обоснование и разработка способа прецизионного химико-механического полирования пластин кремния большого диаметра для СБИС субмикронного уровня.: Диссертация на соискание уч.степ.канд.техн.наук: 05.27.06.

2. Технология СБИС Под ред. С. Зи. – М.: Мир, 1986. – Т.1.

3. Сагателян Г.Р., Шульга В.Г., Хохлов А.И. Минимизация формируемой на операции одностороннего полирования разнотолщинности тонких кремниевых пластин // Вестник МГТУ, Сер. Приборостроение, 1995, №3, с.109–120.

4. Работа “Модуль” Москва, НИИМВ, 1997г.

5. Хохлов А.И., Чуканов С.В., Шульга В.Г. Методы и оборудование для монтажа пластин кремния большого диаметра на технологическом этапе химико-механического полирования // Известия ВУЗов: Электроника, 1998, №4, с.37-41

6. Кузнецов С.М., Шевелькова Л.И., Сергеев С.А. Основные представления о классическом процессе формообразования //Формообразование оптических поверхностей /Под ред. К.Г.

7. Л.А.Константинова, И.И.Ларионов, В.М.Писеев “Методы и средства обеспечения безопасности технологических процессов на предприятиях электронной промышленности” М.МИЭТ, 1986г.

8. Каранеян В.И., Ушаков В.И., Дащинская Л.И., “Физиолого-гигиенические аспекты организации чистых производственных помещений” М.МИЭТ, 1986г.

9. Л.А. Константинова и др. Метододические указания по выполнению раздела “Охрана труда” в дипломном проекте для студентов МИЭТ/ под ред. В.И.Каракеян М.МИЭТ, 1988г.

10. В.И.Каракеян. “Токсикометрические характеристики материалов в технологии микроэлектроники” М.МИЭТ, 1992г

11. Л.А.Константинова, В.М.Писеев. Методические указания по выполнению раздела “Охрана окружающей среды” в дипломном проектировании под ред. В.И.Каракеян. М.МИЭТ,1988г.

12. А.Н.Пилишенко, В.Я.Лякса-Тиминский. Методические указания по выполнению курсовых работ по экономике и организации производства. Под ред. В.Я.Лякса-Тиминского М.МИЭТ, 1980г.

13. Ю.П.Анискин, В.Я.Лякса-Тиминский. Экономические проблемы научно-технического прогресса и методы расчета экономической эффективности. Учебное пособие. Под ред. А.В.Проскурякова М.МИЭТ, 1982г.

Примечаний нет.